內孔感應加熱晶體二閾管稱為半導體二楓管，具有千具體積小、結構簡單、壽命平穩、不需要燈加熱等優點，近年來在高頻設備中取代真空=極管成為充氣管，有些已經取代。

內孔感應加熱是半導體材料硅和鍺的單品體巾，由于原始的熱運動，外層電子從晶體共價鍵中脫離成為自由電子，脫離電子的地方變得容易變成空洞。純硅或鋪裝中存在數量相等的自由電子和空洞。

內孔感應加熱在純單晶硅和鍺中混入微量的冊子、σ、鎵等要素，產生大量空洞的是p型半導體，配合人磷、砷、銻等要素，產生大量的自由電子的是n型半導體。將p型和n型半導體通過一定的工藝連接起來，可以制作米導體=極管。

內孔感應加熱半導體二極管的導電原理。在外電場的作用下，空洞(帶正電)向負極移動，電子(帶負電)向正極移動，空間電荷區域(PN結)狹窄，即正向電阻小，電流通過PN結流動。p區負極/N區正極時，空穴和屯子的移動方向相反，空間電荷區(PN結)變寬，反向電子急劇增加。這是半導體晶體二極管尊向導申，弗在電路上完成整流任務的基本原理。一般晶體二極偏僻允許汝世電流少，硅二投管有效百安。